三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片

首尔经济日报10月18日消息，三星电子计划借助全球最大晶圆代工厂台积电的制造技术，为英伟达生产下一代定制高带宽内存（HBM）的关键部件——基底裸片。此前，三星所有HBM产品中的存储芯片核心裸片和系统半导体基底裸片均为自主生产。如今，三星顺应英伟达的技术要求，调整了HBM的全包式生产模式。

业内知情人士18日透露，英伟达已向三家NVHBM供应商——三星电子、SK海力士（000660.KS）和美光——提出要求：基底裸片需采用台积电3纳米工艺制造。英伟达还要求核心裸片统一使用代号1c的第六代DRAM工艺。NVHBM基于第七代下一代HBM标准HBM4E架构开发，是英伟达在8月推出的定制版高带宽内存。

据IT之家从报道中了解，英伟达提出这一要求的原因在于各家HBM供应商的制造方案存在差异，难以基于统一设计实现稳定一致的性能。标准化还能减少针对每家供应商单独进行产品验证的工作量。负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部经过内部评估，决定接受英伟达的要求。

报道指出，对于标准HBM产品，三星将继续保持全包式生产策略。今年三星全球率先量产第六代HBM4，目前第七代HBM4E正处于量产验证阶段；这两款产品的基底裸片均采用三星自研4纳米代工工艺，核心裸片则在三星华城、平泽厂区的1c产线生产。

针对AMD等其他客户的定制HBM，三星计划沿用全包式生产方案。同时，三星也保留了在自家晶圆厂研发和生产NVHBM的可能性。一位业内人士表示：“三星正在验证是否能在自有产线上制造NVHBM基底裸片。这是一项预案，以防NVHBM需求超出台积电产能上限。”